Ampliación de Memoria PC SAMSUNG MZ-V9S1T0BW

Discos duros internos MZ-V9S1T0BW Disco duro interno solido ssd samsung 990 evo plus 1tb pcie 4.0x4 5.0x2 nvme 2.0 Samsung 990 EVO Plus SSD 1TB PCIe 4.0x 4 NVMe 2.0 Marca Samsung Modelo MZ-V9S1T0BW Capacidad - 1TB Interfaz - PCIe Gen 4.0 x4 5.0 x2 NVMe 2.0 Tamaño - M.2 (2280) Rendimiento - Lectura secuencial hasta 7150 MB/s - Escritura secuencial hasta 6300 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32) hasta 850.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32) hasta 1.350.000 IOPS Características - Memoria caché HMB (búfer de memoria del host) - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - GC(Garbage collection) Algoritmo de recolección automática de basura - SOPORTE DE CIFRADO Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada) - Soporte WWN - Soporte del modo de suspensión del dispositivo Alimentación - Consumo medio de energía (Nivel de sistema) Promedio Lectura 4,3 W Escritura 4,2 W - Consumo de energía (inactivo) Típico 60 mW - Consumo de energía (reposo del dispositivo) 5 mW típico - Voltaje permitido 3,3 V 5 % Tensión permitida - Confiabilidad (MTBF) Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF) - Temperatura de funcionamiento 0 - 70 ºC Temperatura de funcionamiento - Choque 1.500 G y 0,5 ms (medio seno) Dimensiones y peso - 80,15 x 22,15 x 2,38mm - Max. 9 g