AMPLIACIÓN DE MEMORIA PC SAMSUNG MZ-V9P4T0CW

ALMACENAMIENTO > DISCOS DUROS INTERNOS SAMSUNG DSP0000020572 MZ-V9P4T0CW DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG 990 PRO HEATSINK 4TB PCIE 4.0 NVME DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG 990 PRO HEATSINK 4TB PCIE 4.0 NVME.
CARACTERÍSTICAS
- MEMORIA DE ALMACENAMIENTO: SAMSUNG V-NAND TLC
- CONTROLLER: SAMSUNG IN-HOUSE CONTROLLER
- MEMORIA CACHÉ: SAMSUNG 4GB LOW POWER DDR4 SDRAM
- SOPORTE TRIM
- SOPORTE S.M.A.R.T
- GC (GARBAGE COLLECTION): AUTO GARBAGE COLLECTION ALGORITHM
- ENCRIPTACIÓN: AES 256-BIT ENCRYPTION (CLASS 0)TCG/OPAL IEEE1667 (ENCRYPTED DRIVE)
- SOPORTE MODO SUSPENSIÓN EN DISPOSITIVO
- LECTURA SECUENCIAL: 7,450 MB/S
- ESCRITURA SECUENCIAL: 6,900 MB/S
- LECTURA ALEATORIA (4KB, QD32): 1,600,000 IOPS
- ESCRITURA ALEATORIA (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS
- LECTURA ALEATORIA (4KB, QD1): 22,000 IOPS
- ESCRITURA ALEATORIA (4KB, QD1): 80,000 IOPS
ENTORNO
- CONSUMO ENERGÉTICO MEDIO: 6.5- 8.6 W
- CONSUMO ENERGÉTICO (IDLE): MAX. 55 MW
- VOLTAJE SOPORTADO: 3.3 V 5 %
- DURABILIDAD (MTBF): 1.5 MILLION HOURS RELIABILITY (MTBF)
- TEMPERATURA: 0 - 70ºC
- GOLPES: 1,500 G & 0.5 MS
DIMENSIONES Y PESO
- 80 X 22 X 2.3 MM
- 9.0G