AMPLIACIÓN DE MEMORIA PC SAMSUNG MZ-V9S4T0BW

ALMACENAMIENTO > DISCOS DUROS INTERNOS SAMSUNG DSP0000028624 MZ-V9S4T0BW DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG 990 EVO PLUS 4TB PCIE 4.0X4 5.0X2 NVME 2.0 DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 4TB PCIE 4.0X 4 NVME 2.0
MARCA SAMSUNG
MODELO MZ-V9S4T0BW
CAPACIDAD - 4TB
INTERFAZ - PCIE GEN 4.0 X4 / 5.0 X2 NVME 2.0
TAMAÑO - M.2 (2280)
RENDIMIENTO - LECTURA SECUENCIAL: HASTA 7250 MB/S
- ESCRITURA SECUENCIAL: HASTA 6300 MB/S
- LECTURA ALEATORIA (4KB, QD32): HASTA 1.050.000 IOPS
- ESCRITURA ALEATORIA (4KB, QD32): HASTA 1.400.000 IOPS
CARACTERÍSTICAS - MEMORIA CACHÉ: HMB (BÚFER DE MEMORIA DEL HOST)
- SOPORTE TRIM
- SOPORTE S.M.A.R.T
- GC(GARBAGE COLLECTION): ALGORITMO DE RECOLECCIÓN AUTOMÁTICA DE BASURA
- SOPORTE DE CIFRADO
CIFRADO AES DE 256 BITS (CLASE 0) TCG/OPAL
IEEE1667 (UNIDAD CIFRADA)
- SOPORTE WWN
- SOPORTE DEL MODO DE SUSPENSIÓN DEL DISPOSITIVO
ALIMENTACIÓN
- CONSUMO MEDIO DE ENERGÍA (NIVEL DE SISTEMA):
PROMEDIO: LECTURA 5,5 W / ESCRITURA 4,8 W
- CONSUMO DE ENERGÍA (INACTIVO): TÍPICO 60 MW
- CONSUMO DE ENERGÍA (REPOSO DEL DISPOSITIVO): 5 MW TÍPICO
- VOLTAJE PERMITIDO: 3,3 V 5 % TENSIÓN PERMITIDA
- CONFIABILIDAD (MTBF): FIABILIDAD DE 1,5 MILLONES DE HORAS (MTBF)
- TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO: 0 - 70 ºC TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO
- CHOQUE: 1.500 G Y 0,5 MS (MEDIO SENO)
DIMENSIONES Y PESO
- 80,15 X 22,15 X 2,38MM
- MAX. 9 G