Ampliación de Memoria PC Synology D4ES03-16G

CARACTERÍSTICAS DEL MÓDULO DE MEMORIA SYNOLOGY DDR4 16GB SO-DIMM ECC (D4ES03-16G)
EL MÓDULO DE MEMORIA SYNOLOGY DDR4 DE 16 GB ESTÁ DISEÑADO ESPECÍFICAMENTE PARA AMPLIAR EL RENDIMIENTO Y LA CAPACIDAD DE RESPUESTA DE TU SISTEMA NAS SYNOLOGY COMPATIBLE. SE TRATA DE UNA MEMORIA ECC SIN BÚFER, PENSADA PARA ENTORNOS DONDE LA ESTABILIDAD, LA INTEGRIDAD DE LOS DATOS Y EL FUNCIONAMIENTO CONTINUO SON FUNDAMENTALES. UNA OPCIÓN IDEAL PARA EMPRESAS, PROFESIONALES Y USUARIOS AVANZADOS QUE BUSCAN OPTIMIZAR SU INFRAESTRUCTURA DE ALMACENAMIENTO.
AMPLIACIÓN OFICIAL SYNOLOGY PARA MÁXIMA COMPATIBILIDAD
ESTE MÓDULO ES UNA ACTUALIZACIÓN ESPECÍFICA DEL SISTEMA, DESARROLLADO Y VALIDADO POR SYNOLOGY PARA GARANTIZAR COMPATIBILIDAD TOTAL CON LOS MODELOS COMPATIBLES. AL TRATARSE DE UN COMPONENTE ORIGINAL CON REFERENCIA D4ES03-16G, ASEGURA UN FUNCIONAMIENTO ESTABLE Y SIN CONFLICTOS.

CAPACIDAD: 16 GB
NÚMERO DE PIEZA OEM: SYNOLOGY D4ES03-16G
TIPO DE ACTUALIZACIÓN: ESPECÍFICO DEL SISTEMA

MEMORIA DDR4 ECC: ESTABILIDAD Y PROTECCIÓN DE DATOS
INCORPORA TECNOLOGÍA DDR4 SDRAM CON COMPROBACIÓN DE INTEGRIDAD DE DATOS (ECC), LO QUE PERMITE DETECTAR Y CORREGIR ERRORES AUTOMÁTICAMENTE. ESTA CARACTERÍSTICA ES CLAVE EN ENTORNOS PROFESIONALES DONDE LA FIABILIDAD Y LA CONTINUIDAD OPERATIVA SON PRIORITARIAS, ESPECIALMENTE EN SERVIDORES NAS QUE GESTIONAN GRANDES VOLÚMENES DE INFORMACIÓN.

TECNOLOGÍA: DDR4 SDRAM
ECC (ERROR-CORRECTING CODE)
TIPO: DRAM MÓDULO DE MEMORIA

FORMATO SO-DIMM COMPACTO Y SIN BÚFER
SU DISEÑO EN FORMATO SO-DIMM DE 260 CONTACTOS PERMITE SU INSTALACIÓN EN EQUIPOS COMPACTOS COMO NAS Y SERVIDORES DE PEQUEÑO FORMATO. ADEMÁS, AL SER UNA MEMORIA SIN BÚFER (UNBUFFERED), OFRECE UNA COMUNICACIÓN DIRECTA CON EL CONTROLADOR DE MEMORIA, IDEAL PARA SISTEMAS DISEÑADOS PARA ESTE TIPO DE CONFIGURACIÓN.

FACTOR DE FORMA: SO-DIMM DE 260 CONTACTOS
CONFIGURACIÓN: SIN BÚFER
DISEÑO OPTIMIZADO PARA SISTEMAS SYNOLOGY COMPATIBLES

OTRAS ESPECIFICACIONES

CAPACIDAD TOTAL: 16 GB
FABRICANTE: SYNOLOGY
USO RECOMENDADO: AMPLIACIÓN DE MEMORIA EN NAS COMPATIBLES