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Ref. MZ-VAP4T0BW - Samsung

DISCO DURO INTEGRACIÓN SAMSUNG MZ-VAP4T0BW

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  • Descripción
    ALMACENAMIENTO > DISCOS DUROS INTERNOS SAMSUNG DSP0000032241 MZ-VAP4T0BW DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG 9100 PRO MZ - VAP4T0BW 4TB M.2 NVME PCIE 5 DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG CARACTERÍSTICAS DEL SAMSUNG 9100 PRO MZ-VAP4T0
    EL SAMSUNG 9100 PRO ES UN SSD INTERNO DE ALTO RENDIMIENTO ORIENTADO A USUARIOS EXIGENTES QUE REQUIEREN VELOCIDADES DE TRANSFERENCIA EXTREMAS, GRAN DURABILIDAD Y EFICIENCIA ENERGÉTICA. CON UNA CAPACIDAD DE 4 TB Y UNA INTERFAZ PCIE 5.0 X4 (NVME), ESTE MODELO ES IDEAL TANTO PARA PROFESIONALES CREATIVOS COMO PARA GAMERS DE ALTO NIVEL O ESTACIONES DE TRABAJO QUE MANEJAN GRANDES VOLÚMENES DE DATOS.
    VELOCIDAD DE LECTURA Y ESCRITURA INIGUALABLE
    GRACIAS A LA TECNOLOGÍA PCIE 5.0 Y A SU MEMORIA SAMSUNG V-NAND TLC, ESTE SSD OFRECE UNA VELOCIDAD DE LECTURA DE HASTA 14.800 MB/S Y ESCRITURA DE HASTA 13.400 MB/S, PERMITIENDO UNA CARGA ULTRA RÁPIDA DE APLICACIONES, JUEGOS Y ARCHIVOS PESADOS.

    LECTURA SECUENCIAL: HASTA 14.800 MB/S
    ESCRITURA SECUENCIAL: HASTA 13.400 MB/S
    LECTURA ALEATORIA 4KB: HASTA 2.200.000 IOPS
    ESCRITURA ALEATORIA 4KB: HASTA 2.600.000 IOPS

    FIABILIDAD, DURABILIDAD Y SEGURIDAD INTEGRADAS
    EL SAMSUNG 9100 PRO NO SOLO DESTACA POR SU RENDIMIENTO, SINO TAMBIÉN POR SU ROBUSTEZ Y FIABILIDAD. CON UNA DURABILIDAD DE HASTA 2400 TBW Y UN MTBF DE 1.500.000 HORAS, ES UNA SOLUCIÓN DE ALMACENAMIENTO A LARGO PLAZO. ADEMÁS, INCORPORA CIFRADO AES DE 256 BITS Y CUMPLE CON EL ESTÁNDAR IEEE 1667 PARA MAYOR SEGURIDAD.

    DURABILIDAD: HASTA 2400 TBW
    CIFRADO POR HARDWARE AES DE 256 BITS
    MTBF: 1.500.000 HORAS

    TECNOLOGÍAS AVANZADAS Y EFICIENCIA TÉRMICA
    INCLUYE UN DISIPADOR INTEGRADO Y TECNOLOGÍAS COMO INTELLIGENT TURBOWRITE 2.0 Y AUTO GARBAGE COLLECTION QUE OPTIMIZAN EL RENDIMIENTO Y PROLONGAN LA VIDA ÚTIL DEL SSD. ES COMPATIBLE CON NVME 2.0, FUNCIONES TRIM Y S.M.A.R.T., ADEMÁS DE SER APTO PARA SU USO EN CONSOLAS PLAYSTATION.

    DISIPADOR TÉRMICO INTEGRADO
    SOPORTE NVME 2.0 Y TRIM
    COMPATIBILIDAD CON CONSOLAS PLAYSTATION

    DISEÑO COMPACTO Y EFICIENCIA ENERGÉTICA
    CON UN FORMATO M.2 2280, ESTE SSD SE ADAPTA A UNA AMPLIA VARIEDAD DE EQUIPOS. SU CONSUMO ENERGÉTICO ES CONTENIDO, INCLUSO EN LECTURA Y ESCRITURA INTENSIVA, Y SU FUNCIONAMIENTO ESTÁ GARANTIZADO HASTA LOS 70 °C, OFRECIENDO ESTABILIDAD EN ENTORNOS EXIGENTES.

    CONSUMO EN LECTURA: 9 W / ESCRITURA: 8.2 W
    TEMPERATURA OPERATIVA: 0 °C A 70 °C
    ESPESOR: 2.38 MM / PESO: 9 G

    OTRAS ESPECIFICACIONES

    MEMORIA NAND: TLC (TRIPLE LEVEL CELL)
    SOFTWARE INCLUIDO: SAMSUNG MAGICIAN
    INTERFAZ: PCIE 5.0 X4
    COMPATIBILIDAD CON DEVICE SLEEP Y S.M.A.R.T.

Ref. MZ-VAP4T0BW - Samsung

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